STGW8M120DF3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Код товара: 10209046
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание STGW8M120DF3
Упаковка / блок | TO-247-3 |
---|---|
Серия | STGW8M120DF3 |
Вес изделия | 6 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 167 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGW8M120DF3 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара