STGWT20H65FB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Артикул:
STGWT20H65FB
Производитель:
Описание STGWT20H65FB
Технология | Si |
---|---|
Серия | STGWT20H65FB |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 6.756 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-3P |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Pd - рассеивание мощности | 168 W |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара