STGW30M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Код товара: 10208308
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
466,74 руб.
Нет в наличии
Описание STGW30M65DF2
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STGW30M65DF2 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 258 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGW30M65DF2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара