STGFW30H65FB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Код товара: 10208282
Цена от:
300,98 руб.
Нет в наличии
Описание STGFW30H65FB
Серия | STGFW30H65FB |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 7 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-3PF |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 58 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGFW30H65FB , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара