NSS40301MDR2G, Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Артикул:
NSS40301MDR2G
Производитель:
Описание NSS40301MDR2G
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 5 mm |
| Ширина | 4 mm |
| Высота | 1.5 mm |
| Серия | NSS40301MD |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 143 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара