IXFK150N30P3, МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Артикул:
IXFK150N30P3
Производитель:
Описание IXFK150N30P3
Упаковка | Tube |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | IXFK150N30 |
Вес изделия | 7.500 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Технология | Si |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 mW |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 197 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара