PMN42XPEAH, МОП-транзистор 20V P-CHANNEL TRENCHMOS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PMN42XPEAH
| Вес изделия | 11.242 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 1.31 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 46 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.25 V |
| Qg - заряд затвора | 17.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12.5 S |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара