UJ3N065025K3S, JFET 650V/25mOhm SiC JFET G3, N-ON
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание UJ3N065025K3S
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 441 W |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 85 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V to 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара