MXD1210EWE+, Контроллеры памяти Nonvolatile RAM Controller
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MXD1210EWE+
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-16 |
| Серия | MXD1210 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 200.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Высота | 1.35 mm |
| Длина | 9.8 mm |
| Ширина | 3.8 mm |
| Тип | Non-Volatile RAM (NVRAM) |
| Рабочий ток источника питания | 230 uA |
| Переключение на резервное батарейное питание | Yes |
| Напряжение питания - макс. | 5.5 V |
| Напряжение питания - мин. | 4.75 V |
| Описание/функция | Converting CMOS RAM into nonvolatile memory |
| Тип памяти | Nonvolatile RAM - NVRAM |
| Индикатор состояния литиевой батареи | No |
| Количество каналов памяти | 1 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара