STGWT30H60DFB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Артикул:
STGWT30H60DFB
Производитель:
Описание STGWT30H60DFB
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT30H60DFB |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 260 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара