RGT40TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
Артикул:
RGT40TS65DGC11
Производитель:
Описание RGT40TS65DGC11
Минимальная рабочая температура | 40 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Серия | RGT40TS65D |
Pd - рассеивание мощности | 144 W |
ECCN | EAR99 |
Вес изделия | 38 g |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Непрерывный коллекторный ток | 20 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара