STGB6M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Код товара: 10195666
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
152,98 руб.
Нет в наличии
Описание STGB6M65DF2
| Серия | STGB6M65DF2 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 uA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 12 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGB6M65DF2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара