IKW30N65EL5XKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5
Артикул:
IKW30N65EL5XKSA1
Производитель:
Описание IKW30N65EL5XKSA1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Серия | TRENCHSTOP 5 L5 |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Pd - рассеивание мощности | 227 W |
Технология | Si |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.05 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 85 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара