STGP7H60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Артикул:
STGP7H60DF
Производитель:
Описание STGP7H60DF
Упаковка / блок | TO-220-3 |
---|---|
Серия | STGP7H60DF |
Вес изделия | 6 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Длина | 15.85 mm |
Ширина | 10.4 mm |
Высота | 4.6 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 88 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 14 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 14 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Непрерывный коллекторный ток | 14 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара