STWA70N60DM2, МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STWA70N60DM2
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STWA70N60DM2 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Время спада | 10.4 ns |
| Время нарастания | 67 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 66 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 112 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара