2SB1182TLQ, Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Артикул:
2SB1182TLQ
Производитель:
Описание 2SB1182TLQ
Серия | 2SB1182 |
---|---|
Вес изделия | 260.400 mg |
ECCN | EAR99 |
Высота | 2.3 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Длина | 6.5 mm |
Ширина | 5.5 mm |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 10 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара