STB80N4F6AG, МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STB80N4F6AG
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | STB80N4F6AG |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 11.9 ns |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 46.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара