STGW28IH125DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
Артикул:
STGW28IH125DF
Производитель:
Описание STGW28IH125DF
Упаковка / блок | TO-247-3 |
---|---|
Серия | STGW28IH125DF |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 375 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.25 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.65 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара