STGP30V60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Код товара: 10190755
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,36 руб.
Нет в наличии
Описание STGP30V60DF
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | STGP30V60DF |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 258 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGP30V60DF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара