SISS28DN-T1-GE3, МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ

Код товара: 10188810

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SISS28DN-T1-GE3
Производитель:

Описание SISS28DN-T1-GE3

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияSIS
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
ТехнологияSi
Высота1.04 mm
Длина3.3 mm
Ширина3.3 mm
Вид монтажаSMD/SMT
ECCNEAR99
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Pd - рассеивание мощности57 W
КонфигурацияSingle
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
Id - непрерывный ток утечки60 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.52 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Qg - заряд затвора75 nC
Канальный режимEnhancement

Способы доставки в Калининград

Доставка SISS28DN-T1-GE3 , МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.