SISS28DN-T1-GE3, МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
Код товара: 10188810
Цена от:
97,81 руб.
Нет в наличии
Описание SISS28DN-T1-GE3
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | SIS |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Высота | 1.04 mm |
Длина | 3.3 mm |
Ширина | 3.3 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Pd - рассеивание мощности | 57 W |
Конфигурация | Single |
Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
Количество каналов | 1 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.52 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 75 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISS28DN-T1-GE3 , МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара