LND150N3-G-P003, МОП-транзистор DepletionMode МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор DepletionMode МОП-транзистор
Артикул:
LND150N3-G-P003
Производитель:
Описание LND150N3-G-P003
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 1300 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 kOhms |
| Время нарастания | 450 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара