PBHV8540T.215, Биполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE BISS
Описание PBHV8540T.215
ECCN | EAR99 |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Вес изделия | 8 mg |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Квалификация | AEC-Q101 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Длина | 3 mm |
Ширина | 1.4 mm |
Высота | 1 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 50 mA, 10 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара