IXXH30N65B4, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
Артикул:
IXXH30N65B4
Производитель:
Описание IXXH30N65B4
| Вес изделия | 4.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXXH30N65 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара