STGB20M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Артикул:
STGB20M65DF2
Производитель:
Описание STGB20M65DF2
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | STGB20M65DF2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 166 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара