SIHH11N60E-T1-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Описание SIHH11N60E-T1-GE3
Серия | E |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 1 mm |
Длина | 8 mm |
Ширина | 8 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | PowerPAK-4 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 295 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 31 nC |
Pd - рассеивание мощности | 114 W |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Время спада | 21 ns |
Время нарастания | 21 ns |
Типичное время задержки выключения | 39 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара