BSS5130AT116, Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BSS5130AT116
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 2.012 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара