IXYH82N120C3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Артикул:
IXYH82N120C3
Производитель:
Описание IXYH82N120C3
| Вес изделия | 38 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXYH82N120 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1040 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.75 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 160 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 160 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара