IXFX120N30P3, МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Артикул:
IXFX120N30P3
Производитель:
Описание IXFX120N30P3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFX120N30 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 1.600 g |
| Pd - рассеивание мощности | 1.13 kW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 150 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 54 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара