IXFH18N100Q3, МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A
Артикул:
IXFH18N100Q3
Производитель:
Описание IXFH18N100Q3
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH18N100 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 660 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 33 ns |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара