STF6N65M2, МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
Артикул:
STF6N65M2
Производитель:
Описание STF6N65M2
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STF6N65M2 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 9.8 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара