PMF170XP.115, МОП-транзистор P-CH -20 V -1 A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PMF170XP.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Qg - заряд затвора | 2.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.9 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара