IXGH30N120B3D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V

Код товара: 10181087

Изображения служат только для ознакомления.

Наименование:
IXGH30N120B3D1
Производитель:

Описание IXGH30N120B3D1

Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXGH30N120
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247AD-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Ширина5.3 mm
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности300 W
Коммерческое обозначениеGenX3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.96 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.150 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Непрерывный коллекторный ток30 A

Способы доставки в Калининград

Доставка IXGH30N120B3D1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.