IXGH30N120B3D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
Код товара: 10181087
Цена от:
1 160,71 руб.
Нет в наличии
Описание IXGH30N120B3D1
Вес изделия | 6.500 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Серия | IXGH30N120 |
Упаковка | Tube |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Ширина | 5.3 mm |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.96 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 150 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXGH30N120B3D1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара