IKZ75N65ES5XKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l

Код товара: 10180766

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKZ75N65ES5XKSA1
Производитель:

Описание IKZ75N65ES5XKSA1

Вид монтажаThrough Hole
СерияTRENCHSTOP 5 S5
УпаковкаTube
Вес изделия6 g
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Упаковка / блокTO-247-4
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Pd - рассеивание мощности395 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.42 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C80 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.80 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA

Способы доставки в Калининград

Доставка IKZ75N65ES5XKSA1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.