STGB7H60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Артикул:
STGB7H60DF
Производитель:
Описание STGB7H60DF
Серия | STGB7H60DF |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара