NVMFD5C470NLWFT1G, МОП-транзистор T6 40V LL S08FL DS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVMFD5C470NLWFT1G
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NVMFD5C470NL |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 24 W |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Время спада | 36 ns, 36 ns |
| Время нарастания | 55 ns, 55 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 36 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.2 mOhms, 9.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns, 9.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 9 nC, 9 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S, 30 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара