STH170N8F7-2, МОП-транзистор N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in a H2PAK-2 package
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in a H2PAK-2 package
Артикул:
STH170N8F7-2
Производитель:
Описание STH170N8F7-2
| Упаковка / блок | H2PAK-2 |
|---|---|
| Серия | STH170N8F7-2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | STripFET F7 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 15.8 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Высота | 4.8 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 37 ns |
| Время нарастания | 53 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 38 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара