STB45N60DM2AG, МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
Артикул:
STB45N60DM2AG
Производитель:
Описание STB45N60DM2AG
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
---|---|
Серия | STB45N60DM2AG |
Квалификация | AEC-Q101 |
Вес изделия | 4 g |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power MOSFET |
Тип | High Voltage |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Количество каналов | 1 Channel |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 10.4 mm |
Ширина | 9.35 mm |
Высота | 4.6 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Время спада | 6 ns |
Время нарастания | 27 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 93 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 56 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 85 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара