NJVMJB42CT4G, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 6A 100V TR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 6A 100V TR
Артикул:
NJVMJB42CT4G
Производитель:
Описание NJVMJB42CT4G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | MJB42C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Вес изделия | 1.420 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара