TLP385(YH.E, Транзисторные выходные оптопары GaAs Infrared and Photo-Transistor
Транзисторные выходные оптопары GaAs Infrared and Photo-Transistor
Артикул:
TLP385(YH.E
Производитель:
Описание TLP385(YH.E
Упаковка / блок | SO-6-4 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 110 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 128 mg |
ECCN | EAR99 |
Тип выхода | Phototransistor |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | 1 Channel |
Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
Количество каналов | 1 Channel |
Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
Время спада | 3 us |
Время нарастания | 2 us |
Vr - обратное напряжение | 5 V |
If - прямой ток | 10 mA |
Коэффициент передачи по току | 150 % |
Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара