CSD85301Q2T, МОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Артикул:
CSD85301Q2T
Производитель:
Описание CSD85301Q2T
| Серия | CSD85301Q2 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 2 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 9.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Упаковка / блок | WSON-FET-6 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Qg - заряд затвора | 5.4 nC |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 26 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара