IHW20N65R5, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Артикул:
IHW20N65R5
Производитель:
Описание IHW20N65R5
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | TRENCHSTOP 5 RC-H |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Вес изделия | 6 g |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара