FDD10N20LZTM, МОП-транзистор 200V N-Channel МОП-транзистор, UniFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 200V N-Channel МОП-транзистор, UniFET
Артикул:
FDD10N20LZTM
Производитель:
Описание FDD10N20LZTM
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDD10N20LZ |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара