IPP60R190E6, МОП-транзистор N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
Артикул:
IPP60R190E6
Производитель:
Описание IPP60R190E6
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | CoolMOS E6 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 151 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара