SIHB23N60E-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Код товара: 10171662
Цена от:
508,18 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB23N60E-GE3
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | E |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Технология | Si |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 34 ns |
| Время нарастания | 38 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 158 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 66 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHB23N60E-GE3 , МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара