SMMBT5088LT1G, Биполярные транзисторы - BJT SS LN XSTR NPN 35V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS LN XSTR NPN 35V
Артикул:
SMMBT5088LT1G
Производитель:
Описание SMMBT5088LT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | MMBT5088L |
| Вес изделия | 39 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 35 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара