NSS30100LT1G, Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat

Код товара: 10168585

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NSS30100LT1G
Производитель:

Описание NSS30100LT1G

СерияNSS30100LT1G
Вес изделия8 mg
ECCNEAR99
Высота0.94 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Длина2.9 mm
Ширина1.3 mm
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Pd - рассеивание мощности310 mW
Упаковка / блокSOT-23-3
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Непрерывный коллекторный ток1 A

Способы доставки в Калининград

Доставка NSS30100LT1G , Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.