BSM080D12P2C008, Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Артикул:
BSM080D12P2C008
Производитель:
Описание BSM080D12P2C008
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | Module |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BSMx |
| Упаковка | Tray |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power Semiconductor Modules |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара