SIHP8N50D-GE3, МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
Код товара: 10164970
Цена от:
131,96 руб.
Нет в наличии
Описание SIHP8N50D-GE3
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | D |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Длина | 10.41 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 15.49 mm |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHP8N50D-GE3 , МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара