STB45N50DM2AG, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Код товара: 10159983
Цена от:
548,13 руб.
Нет в наличии
Описание STB45N50DM2AG
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | STB45N50DM2AG |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Квалификация | AEC-Q101 |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Продукт | Power MOSFETs |
Тип | High Voltage |
Ширина | 9.35 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 4 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 84 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 57 nC |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Канальный режим | Enhancement |
Время нарастания | 9.4 ns |
Время спада | 9.8 ns |
Типичное время задержки выключения | 73.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STB45N50DM2AG , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара