NVMFD5C674NLT1G, МОП-транзистор T6 60V LL S08FL DS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVMFD5C674NLT1G
| Серия | NVMFD5C674NL |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 136.090 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Время спада | 27.5 ns |
| Время нарастания | 32.1 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара